本书共8章，主要内容包括GaN体单晶衬底和Si基GaN外延、横向GaN基HEMT器件及其结构、垂直型GaN基电力电子晶体管、GaN基功率器件的可靠性、GaN基功率器件的鲁棒性验证、寄生效应对GaN基功率转换器的影响、GaN基AC/DC功率转换器、GaN基开关模式功率放大器等。本书从材料生长到器件制造、从特性分析到鲁棒性验证、从电路设计到系统应用，内容涵盖范围广，层次清晰且系统性较强，可读性较高；其内容具有一定的前瞻性与先进性，所涉及的技术领域与工艺水平均为目前国际主流。