本书分为两个部分；第一部分包括SOI材料及制造，第二部分包括SOI器件及应用。共14章，前几章介绍SOI晶片的制造技术，先进SOI材料的电学特性，以及短沟道SOI半导体晶体管的建模。涉及部分耗尽及全耗尽二种SOI技术。第6章和第7章关注的是无结及氧化物上鳍(fin)型场效应晶体管。还介绍了CMOS器件变化趋势和静电放电中的一些关键技术。第二部分涵盖最近的和已成熟的技术。它们包括射频应用的SOI晶体管，超低功耗应用的SOI CMOS电路，以及利用SOI的三维集成来提高器件性能的方法。最后，第13章和第14章考虑的是用于光电集成电路、微机电系统和纳机电传感器的SOI技术。