本书立足于学界对稀磁半导体中是否存在铁磁性及其内在磁性机制的较大争议问题,基于“三族氮化物稀磁半导体”在自旋电子学领域的潜在应用,在自主研究与实验基础上,提出了稀磁半导体应用面临的困境以及解决路径,即重点采用非磁性元素 (Sn、Ti) 掺杂和缺陷诱导成功地制备出具有室温铁磁性的AlN基稀磁半导体,并探测出其铁磁性规律及其应用价值。本书介绍了稀磁半导体的概念、制备方法、面临的问题及AlN基稀磁半导体的研究进展和尚待解决的问题;材料物理基础和固体理论。