本书介绍了主要半导体材料硅、砷化镓等制备的基本原理和工艺，以及特性的控制等。《半导体材料(第四版)》共13章：第1章为硅和锗的化学制备，第2章为区熔提纯，第3章为晶体生长，第4章为硅、锗晶体中的杂质和缺陷，第5章为硅外延生长，第6章为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，第7章为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的外延生长，第8章为Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半导体，第9章为Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体，第10章为低维结构半导体材料，第11章为氧化物半导体材料，第12章为宽禁带半导体材料，第13章为其他半导体材料。